Flash存储密度未来趋势分析

2026年Flash存储密度已突破物理极限，通过3D NAND层数堆叠至200层以上及QLC/PLC多比特技术，单芯片容量实现指数级增长，成为降低数据中心TCO（总拥有成本）的核心驱动力，存储密度的技术跃迁与现状在2026年的半导体行业，Flash存储不再仅仅是数据的容器，而是算力基础设施的基石，随着AI大模型……